NY CREATES 与 Hprobe 宣布达成战略合作，推进先进半导体存储器测试技术
2024年11月13日 | 首页，新闻稿
纽约州奥尔巴尼与法国格勒诺布尔 —— NY CREATES 与 Hprobe 今日宣布达成战略合作，旨在提升下一代半导体存储器技术的测试能力。这一联合开发项目将专注于 300mm 晶圆级（构建计算机芯片的标准平台）先进测试设备的共同研发。
此次合作旨在支持尖端存储解决方案的动态特性分析，包括磁阻随机存取存储器 (MRAM)、阻变随机存取存储器 (RRAM) 以及选择器器件 (Selector devices)。作为半导体领域创新磁性与电学测试设备的领先供应商，Hprobe 将与 NY CREATES 合作，为快速发展的半导体行业提升测试解决方案。
NY CREATES 业务发展副总裁 Frank Tolic 表示：“我们非常高兴能与 Hprobe 在这一创新项目上开展合作。通过结合 NY CREATES 顶尖的研发专业知识与 Hprobe 的磁性及阻变存储器测试技术，我们可以改进半导体存储器的验证工作。此次合作符合我们的使命，即加速突破性技术的开发，驱动未来计算并提升半导体生态系统的竞争力。”
Hprobe 创始人兼首席技术官 (CTO) Siamak Salimy 表示：“Hprobe 很高兴能与 NY CREATES 就这一重要项目进行合作。此次伙伴关系将使我们能够扩展测试设备的性能，涵盖更广泛的存储技术（如 RRAM），从而巩固我们在先进半导体测试解决方案领域的领导地位。”
双方将验证并演示全新的测试协议，为满足半导体研发与制造日益增长的需求、提供高性能工业级测试解决方案铺平道路。总体而言，此次合作预计将为北美客户创建一个评估和演示新存储解决方案的平台，强化高科技生态系统。
该联合项目将重点使用 Hprobe 的设备（包括全面实施 Hprobe 的 IBEX 晶圆级磁性测试机）对来自 NY CREATES 的 MRAM 和 RRAM 晶圆进行初步测试。针对 MRAM、RRAM 和选择器器件开发突破性的测试程序与算法，也将寻求推动半导体存储器测试领域的尖端技术进步。
Hprobe 将贡献其在 MRAM 和射频 (RF) 特性分析与测试方面的专业知识，而 NY CREATES 将提供基于 CMOS 的 300mm RRAM 和 MRAM 晶圆、原型存储器件及阵列。此外，NY CREATES 还将提供必要的分析与工程支持，以实施和部署针对新兴阻变存储技术的先进测试协议。
开发 MRAM 和 RRAM 等先进存储解决方案对于提高计算性能、可扩展性和能效至关重要。这些新兴技术具有更快的速度、非易失性和更低的功耗，对于人工智能 (AI)、物联网 (IoT) 和内存计算 (In-memory computing) 等应用至关重要。它们还能实现全新的架构设计并增强安全特性，助力可持续技术的发展。通过推进这些存储技术，NY CREATES 与 Hprobe 的合作将惠及广泛的行业，同时解决传统存储系统的局限性。
此次公告紧随 NY CREATES 与全球领先高科技机构近期签署的一系列合作备忘录 (MOU) 之后。今年 6 月在格勒诺布尔举行的 Leti 创新日期间，NY CREATES 与 CEA-Leti 宣布达成的战略研究伙伴关系，重点是研究与共同开发用于存储计算机数据的磁性存储器件。这些器件将在行业标准的 300mm 晶圆平台上生产。
上个月，NY CREATES 与 Nord Quantique 签署了合作备忘录，共同开展量子相关的研发。8 月，纽约州州长 Hochul 宣布与日本北海道政府达成新的半导体研发与劳动力发展协议。此外，NY CREATES 与 SEMI 在 7 月的 SEMICON West 期间签署了关于推进环境可持续性的合作备忘录。
关于 NY CREATES
NY CREATES 是先进电子产品从实验室到工厂 (Lab-to-fab) 的桥梁，致力于促进技术开发与创新的公私合营及产学研合作。NY CREATES 吸引并领导与行业相关的创新和商业化项目，这些项目获得了巨额投资，推动了新兴技术的研发，并创造了未来的就业机会。NY CREATES 运营着世界上最先进的一些设施，拥有 2,700 多名行业专家和教职人员，管理着超过 200 亿美元的公共和私人投资，使其处于全球高科技创新与商业化的中心。 了解更多信息，请访问：www.ny-creates.org
关于 Hprobe
Hprobe 成立于 2017 年 3 月，总部位于法国格勒诺布尔，是全球领先的自旋电子学研究实验室之一 —— SPINTEC 的拆分公司。公司设计、制造并销售用于半导体行业磁性器件晶圆级测试的设备，服务于消费电子、通信、工业和汽车领域的客户。