ibex平台
用於MRAM測試
IBEX-WAT MRAM
参数测试
支持单通道或多通道配置，专为晶圆验收测试 (WAT) 阶段生产良率的统计过程控制 (SPC) 而设计，这得益于对测试结构的工艺控制与监测 (PCM)。
IBEX-WS
功能测试
专为测试嵌入式磁阻随机存取存储器 (eMRAM) 的芯片系统 (SoC) 之位元阵列与晶圆分选 (WS) 而设计。
索取
產品演示
加速前进
磁阻式随机存取存储器创新
我们的交钥匙 MRAM 测试解决方案助您缩短开发周期、加速量产导入，并确保大规模生产顺畅无虞。凭借业界领先的测试速度与无可匹敌的适应性，Hprobe 为您的工程团队提供所需工具，让 MRAM 产品更快、更可靠地推向市场。
进阶
测试功能
磁阻式随机存取存储器装置覆盖率
专注于测试用于 STT-MRAM、SOT-MRAM 及 VC-MRAM 的磁隧道结 (MTJ) 与位单元。
高通量
针对快速、可投入生产的测试进行优化。
快速磁场控制
可变磁场用于先进开关特性分析。
超窄脉冲
完全兼容于商用自动化测试设备。
弹性探针卡操作
适用于手动或自动探针卡装载。
200毫米与300毫米兼容性
在自动化晶圆测试机上实现无缝操作
IBEX
磁阻式随机存取存储器
技术能力
直流电阻感测之磁场扫描
IBEX 在扫描垂直或平面磁场的同时监测装置电阻，让您清晰掌握开关行为与数据保留状况 —— 最高可达 500 mT。
超快脉冲测试
超快脉冲可达 300 ps 并具备高达 5 V 振幅，能模拟真实读写条件并验证装置可靠性。
磁阻式随机存取存储器抗扰性测试
确保装置能抵御外部磁干扰。IBEX 在晶圆或封装层级，直接对您的被测装置施加精确的三轴磁场。
精准三维
磁场
MRAM 测试需要受控磁场与高速脉冲测量。Hprobe 的 IBEX 系统专为同时处理这两项需求而设计，具备高速、高精度及全自动化特性。
磁阻式随机存取存储器测试序列范例
连续性测试
检查被测装置的开路与短路状况
滞后效应 / 磁阻效应
采用磁场易轴线性扫描提取 R-H 曲线
( 平面内或垂直方向 )
R (H,V)
磁场沿易轴方向线性扫描与电压脉冲幅度线性扫描之 R vs (H,V) 曲线截图
BER 测试
通过重复读写操作提取错误率。
击穿电压
使用直流电流扫描测量结点的击穿电压
客户见证与评价
来自我们的客户
“Hprobe 为工研院的装置提供了理想解决方案，显著加速了开发进程。工研院在运用 Hprobe 作为主要磁阻式随机存取存储器（MRAM）测试平台方面拥有丰富经验。其独特的三维磁场设计能在单一测试环境中对多种装置进行特性分析。通过单一工具即可轻松捕捉平面内与平面外特性，从而实现存储器与传感器关键参数的提取。”
– Chen Guan Long
Validation Engineer at ITRI