Hprobe 宣布 ATEMI 项目圆满结项：磁性存储器 (MRAM) 行业的重大突破

Hprobe 宣布成功完成 ATEMI 项目，磁性存储器 (MRAM) 行业取得重大进展

2024年12月5日 | 新闻稿

由 Hprobe 及其合作伙伴共同开展的 ATEMI 项目已取得以下成果：

• 首台测试设备已在一家主要的半导体代工厂完成部署，其他行业领军企业也正在进行评估。
• 新兴表征技术与复杂集成电路测试协议问世，并为制定全球磁免疫测试标准做出了重要贡献。
• 巩固了 Hprobe 的市场地位，为磁传感器等新应用领域铺平了道路。
• 加强了本地及国际技术生态系统，为开启全新战略合作伙伴关系提供了广阔前景。

法国格勒诺布尔，2024年11月21日 —— ATEMI（生产端 MRAM 自动测试设备）项目于 2021 年启动，旨在开发先进的磁场测试技术，以监控磁性存储器的生产。该研发项目由 Hprobe 联合 Spintec（世界领先的自旋电子学研究实验室）共同实施，并由 TopLink Innovation 咨询公司协助制定，获得了奥弗涅-罗讷-阿尔卑斯大区 (Région Auvergne Rhône Alpes) 的资金支持。项目现已圆满结束，在目前正处于工业化部署阶段的 MRAM（磁阻随机存取存储器） 测试与表征方法上取得了实质性进展。这些成果不仅强化了 Hprobe 的市场地位，还为磁免疫测试的国际标准化带来了新机遇。

MRAM 技术正在彻底改变基于微控制器的嵌入式存储系统。它利用整合了磁学与电子学的自旋电子效应来存储信息。MRAM 能够优化存储密度、降低功耗并提升读写速度，使其成为传统存储技术的有力替代方案，特别是在 22 纳米以下的先进工艺节点，当前的解决方案在成本和集成方面面临巨大挑战。

存储器制造商的重大突破： 对于全球主要的存储器制造商而言，确保 MRAM 产品的质量和可靠性至关重要。得益于 ATEMI 项目开发的 Hprobe 磁性测试产生器，制造商能够通过对每个存储单元的磁特性进行精确分析，显著提升生产良率。这一先进解决方案有助于快速识别并解决制造缺陷，从而确保更高的生产质量。

攻克技术瓶颈： ATEMI 项目的目标是将设备技术成熟度从研发概念验证提升至工业化生产水平。如今，该解决方案支持对集成有 MRAM 的复杂集成电路（包括处理器、传感器或 GPU）进行磁场测试，其性能水平可与其他成熟的存储器测试技术相媲美。

迈向国际标准化： ATEMI 项目的成果使 Hprobe 的设备在 MRAM 制造商中占据了独特地位。通过与工业联盟及学术机构合作，该项目还为制定 MRAM 磁免疫国际标准做出了决定性贡献。除了向德国交付测试设备以及在全球主要制造商中进行持续评估外，Hprobe 还为 MRAM 制造商和集成商提供磁免疫测试服务。

未来愿景与市场扩张： 该项目为未来开辟了新前景，计划将测试设备适配于其他需要磁场测试的市场领域，例如磁传感器。自 2024 年初以来，已有数家磁性组件制造商正在评估针对其需求定制的设备性能。

ATEMI 项目加强了 Spintec 与 Hprobe 之间的协作，催生了新的表征技术和测试协议。这一合作伙伴关系还扩展到了其他微电子研究机构（如 CEA-Leti），巩固了 Hprobe 在本地及国际技术生态系统中的地位，并促进了新的战略合作。

关于 Hprobe

Hprobe 成立于 2017 年 3 月，总部位于法国格勒诺布尔，是从全球领先的自旋电子学实验室 Spintec 拆分而来的高科技企业。公司致力于为半导体行业提供磁性组件测试设备。