SNIA 启动 MRAM 联盟策略行动小组 (SIG) 以支持 MRAM 应用扩展

全新倡议邀请业界参与，旨在优化 MRAM 从低功耗边缘设备到高性能子系统的应用

加利福尼亚州圣克拉拉 — 2026年4月13日 — SNIA 今日宣布成立 MRAM 联盟策略行动小组 (SIG)，并邀请从晶圆代工厂到芯片及系统公司的各类行业利益相关者参与此项协作，旨在确保 MRAM 在从低功耗边缘设备到高性能子系统的各类应用中实现优化使用并获得最大收益。

磁阻式随机存取存储器 (MRAM) 具备独特的属性组合，正成为汽车芯片、边缘设备、人工智能系统和高性能计算等众多高增长领域中的关键赋能技术。

SNIA 的 MRAM 联盟 SIG 旨在汇聚代工厂、芯片制造商、存储器制造商、设备供应商和系统公司，共同加速 MRAM 的普及。它将为利益相关者提供一个协作框架，用于统一关键优先事项、提升教育与意识、在适用时制定标准，并促进产品的落地实施。

该倡议基于此前“MRAM 技术小组”的行业协作，该小组已有领域内领先的公司和研究机构参与。目前，该项目正在 SNIA 内部进行扩展，以涵盖半导体价值链以及多个垂直应用领域。

MRAM 联盟 SIG 联合主席 Jean-Pierre Nozières 表示：“MRAM 已在领先的代工厂量产多年，现在的重点不再是技术开发，而是生态系统的协调。这一倡议旨在将整个价值链（从代工厂到芯片商再到系统公司）的利益相关者聚集在一起，统一关键优先事项，并最大化终端系统产品的收益。”

SNIA 理事会主席 J Metz 博士表示：“SNIA 致力于促进不断演变的存储与存储技术领域的协作。将 MRAM 联盟整合到 SNIA 社区中，加强了我们支持 MRAM 等新兴技术的能力，并确保行业拥有一个值得信赖的平台来共同协调、教育和创新。”

此次公告发布之际，正值业界汇聚 INTERMAG 2026 国际磁学会议。MRAM 联盟 SIG 将在会上主持一场关于真实环境下磁抗扰性 (Magnetic Immunity) 的专题会议。MRAM 联盟 SIG 的成员将出席此次盛会，提供与整个生态系统的利益相关者直接交流的机会。

有兴趣参与此项协作工作的组织可通过访问 SNIA 成员页面或发送电子邮件至 membership@snia.org 了解更多信息。

关于 SNIA

SNIA 是一个由企业、大学、初创公司和个人组成的全球性非营利组织。成员通过协作开发和推广厂商中立的架构，以及国际标准和规范。SNIA 致力于推广与数据存储、传输、基础设施优化、加速、格式及保护相关的技术。

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