2025年 MRAM 全球创新论坛将展示行业专家的最新 MRAM 成果、技术进展与研究报告

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MRAM 全球创新论坛是磁阻式随机存取存储器 (MRAM) 技术领域首屈一指的行业平台,汇聚了来自工业界和学术界的领先磁学专家与研究人员,共同分享 MRAM 的最新进展。该年度会议现已进入第 13 届,为期一天,将于 2025 年 12 月 11 日(即 IEEE 国际电子器件会议 IEDM 次日)上午 8:45 至下午 6:00 在旧金山联合广场希尔顿酒店 (Hilton San Francisco Union Square) 的 Imperial Ballroom A/B 厅举行。