Hprobe 宣布 MRAM 晶圆测试取得突破，助力产能提升

Hprobe 宣布在 MRAM 晶圆测试领域取得突破，支持产能爬坡

2022年12月20日 | 新闻稿

法国格勒诺布尔，2022年12月1日 —— Hprobe，全球领先的磁性器件半导体自动测试设备 (ATE) 整体解决方案供应商，今日宣布其产品线新增成员——RF 脉冲模块 (RF Pulse Module)。这是市场上首款商业化的测试系统，既能收集存储单元的错误率统计数据，又能深入研究阻变存储器的翻转动力学 (Switching dynamics)。这项突破性技术将提供全新的数据信息，从而提升存储器件的性能。此外，由于 RF 脉冲模块的速度比现有设备快两个数量级，将有助于提高制造良率。

Hprobe 已开始向全球一线 (Tier-1) 企业及主要研究机构发货。

Hprobe 首席技术官 (CTO) 兼联合创始人 Siamak Salimy 表示：“客户已经给予了我们极佳的反馈。这是因为它是市场上同类产品中首款能够让制造商观察到以前无法触及的数据的产品。”

“我们最初开发这款工具是为了评估 MRAM 磁隧道结的具体特性，特别是翻转随机性 (Switching stochasticity) 和状态稳定性。在此过程中，我们在架构上取得了多项突破，不仅提升了性能，还达到了兼容生产要求的测试产能。同时，我们还对其进行了适配，使其适用于所有阻变存储器。”

该新型测试工具可对包括 STT-MRAM 和其他非易失性存储器（如 SOT-MRAM 和 ReRAM）在内的阻变存储器进行晶圆级模拟脉冲测试，解决了生产过程中需要测试的所有器件级失效问题。该首创系统可用于生产线末端测试，生成更多关于 MRAM 的数据，从而在生产规模扩大时实现更高水平的系统集成。

此外，RF 脉冲模块是首款商业化的整体解决方案系统，利用时间分辨在线脉冲测量 (Time-resolved on-pulse measurements)，能够观察脉冲宽度在 200 皮秒到 200 纳秒范围内的阻变存储器翻转动力学。这些关键测量揭示了翻转响应中的缺陷，而这些缺陷是无法通过测量脉冲后电阻状态来控制的。利用这些新信息，制造商可以提高存储器件的运行速度并降低功耗。

该新产品既可作为独立系统使用，也兼容 IBEX 产品系列。新款 RF 脉冲模块通过创新功能补充了之前的版本，能够以高速评估百万分之一 (PPM) 级别的翻转概率，分析翻转动力学，并对高量产设备中的自动校准及诊断功能进行监控。

备注： Hprobe 将参加于 2022 年 12 月 3 日至 7 日在旧金山联合车站希尔顿酒店举行的 2022 年 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM)（展位：#15）。随后，IEEE 磁学协会将于 12 月 8 日与 IEDM 联合举办第 14 届 MRAM 全球创新论坛。Hprobe 团队将全程参会。

关于 Hprobe

Hprobe 成立于 2017 年 3 月，总部位于法国格勒诺布尔，是磁性存储器和传感器测试设备的领先供应商。Hprobe 是从全球领先的自旋电子学研究实验室之一 —— SPINTEC 拆分而来的高科技企业。公司设计、制造并销售用于半导体行业磁性器件晶圆级测试的设备，服务于消费电子、通信、工业和汽车领域的客户。