ibex平台
用於MRAM測試
IBEX-WAT MRAM
參數測試
本系統支援單通道或多通道配置，透過測試結構的製程控制與監測（PCM），專為晶圓接納測試（WAT）階段的生產良率統計製程控制（SPC）而設計。
IBEX-WS
功能測試
專為測試嵌入式磁阻隨機存取記憶體（eMRAM）的晶片系統（SoC）之位元陣列與晶圓分選（WS）而設計。
索取
產品演示
加速前進
磁阻式隨機存取記憶體創新
我們的交鑰匙MRAM測試解決方案助您縮短開發週期、加速量產導入，並確保大規模生產順暢無虞。憑藉業界領先的測試速度與無可匹敵的適應性，Hprobe為您的工程團隊提供所需工具，讓MRAM產品更快、更可靠地推向市場。
進階
測試功能
磁阻式隨機存取記憶體裝置覆蓋率
專注於測試用於STT-MRAM、SOT-MRAM及VC-MRAM的磁隧道結（MTJ）與位元單元。
高通量
針對快速、可投入生產的測試進行優化。
快速磁場控制
可變磁場用於先進開關特性分析。
超窄脈衝
完全相容於商用自動化測試設備。
彈性探針卡操作
適用於手動或自動探針卡裝載。
200毫米與300毫米相容性
在自動化晶圓測試機上實現無縫操作。
IBEX
磁阻式隨機存取記憶體
技術能力
直流電阻感測之磁場掃描
IBEX 在掃描垂直或平面磁場的同時監測裝置電阻，讓您清晰掌握開關行為與數據保留狀況——最高可達 500 mT。
超快脈衝測試
超快脈衝可達300 ps並具備高達5 V的振幅，能模擬真實讀寫條件並驗證裝置可靠性。
磁阻式隨機存取記憶體抗擾性 測試
確保裝置能抵禦外部磁干擾。IBEX 於晶圓或封裝層級，直接對您的被測裝置施加精確的三軸磁場。
精準三維
磁場
MRAM測試需要受控磁場與高速脈衝測量。Hprobe的IBEX系統專為同時處理這兩項需求而設計，具備高速、高精度及全自動化特性。
磁阻式隨機存取記憶體測試序列範例
連續性測試
檢查被測裝置的開路與短路狀況
滯後效應 / 磁阻效應
採用磁場易軸線性掃描提取R-H曲線
（平面內或垂直方向）
R (H,V)
磁場沿易軸方向線性掃描與電壓脈衝幅度線性掃描之R vs (H,V) 曲線截圖
BER測試
透過重複讀寫操作提取錯誤率
擊穿電壓
使用直流電流掃描測量結點的擊穿電壓
客戶見證與評價
來自我們的客戶
“Hprobe為工研院的裝置提供了理想解決方案，顯著加速了開發進程。工研院在運用Hprobe作為主要磁阻隨機存取記憶體（MRAM）測試平台方面擁有豐富經驗。其獨特的三維磁場設計能在單一測試環境中對多種裝置進行特性分析。透過單一工具即可輕鬆捕捉平面內與平面外特性，從而實現記憶體與感測器關鍵參數的提取。”
– Chen Guan Long
工業技術研究院驗證工程師