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可在量產中實現良率管理的STT-MRAM磁性測試

Jun 9, 2021 | Hprobe in the news

CTIMES | 【作者: Siamak Salimy】/   2021年06月02日 星期三

由於STT-MRAM(自旋轉移距-磁性隨機存取記憶體)具有快速、非揮發性、耐用,低功耗和可擴展的優點,是目前正迅速獲得關注的新記憶體技術之一。它是替代eFlash的強大候選者,尤其是對汽車、物聯網和其他低功耗應用特別有吸引力。然而,為了支援在高產量時所需要的高良率,它需要新的測試方法。